2012年，Cypress（赛普拉斯）以1.098亿美元收购了Ramtron公司。

Ramtron的FRAM技术与Cypress的nvSRAM业务、丰富的R&D资源、历来强大的制造能力、全球销售机构，以及在分销渠道中的深度扩展能力互相结合，将在非易失性存储器业务领域创建一个重要的全新实体。Ramtron及其员工取得了卓越的成就，建立了有价值的技术基础，为市场提供完整的创新性低功率非易失性存储器解决方案产品系列。

Ramtron成立于1984年，作为一家研究和开发铁电技术用于半导体存储器公司。从1984年到1992年底，具有天才设计师的Ramtron团队研究和开发了铁电材料，并且完全符合CMOS半导体制造工艺标准。

在1993到1997年间，Ramtron建立了目前的总部，并开始运行F-RAM试点生产工厂，工厂完成后，Ramtron开始销售铁电存储器产品和授权F-RAM技术给顶级半导体公司。

Ramtron第一个授权的公司，罗姆（ROHM）电子在1998年开始生产，Ramtron停止了所有工业制造的设备，开始作为一家无晶圆半导体公司运作。Ramtron和各种合作伙伴共同发展，继续使用自己的设备进行前沿的F-RAM研究和开发活动。

今天，Ramtron已经成长为一家无晶圆芯片公司。公司出售独一无二的高性能产品给全球的电子OEM厂商，并与领先半导体制造商保持着授权和制造伙伴关系。Ramtron的商业F-RAM产品全部由美国和日本的战略代工厂所制造，并计划为我们的产品扩大生产供应的来源。

什么是F-RAM

相对于其它类型的半导体技术而言，铁电随机存储器（F-RAM）具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器包括静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）以及其他类型存储器。RAM类型存储器易于使用，高性能，但它们有着共同的弱点：在掉电的情况下会失去所保存的数据。

F-RAM芯片包含一个锆钛酸铅[Pb(Zr,Ti)O3]的薄铁电薄膜，通常被称为PZT（图1）。PZT 中的Zr/Ti原子在电场中改变极性，从而产生一个二进制开关。与RAM器件不同，F-RAM在电源被关闭或中断时，由于PZT晶体保持极性能保留其数据记忆。这种独特的性质让F-RAM成为一个低功耗、非易失性存储器。

F-RAM、ROM都属于非易失性存储器，在掉电情况下数据不会丢失。新一代ROM，像EEPROM（可擦可编程只读存储器）和Flash存储器，可以被擦除，并多次重复编程，但它们需要高电压写入且写入速度非常慢。基于ROM技术的存储器读写周期有限（仅为1E5次），使它们不适合高耐性工业应用。

F-RAM比一般串口EEPROM器件有超过10,000倍的耐性，低于3,000倍的功耗和将近500倍的写入速度（图 2）。

F-RAM结合了RAM和ROM的优势，与传统的非易失存储器相比，具有高速、低功耗、长寿命的特点。